Основные технические характеристики Concept II Altus
|
Параметр |
Значение |
|
Модель |
Concept II Altus |
|
Тип |
Химическое осаждение из газовой фазы (CVD) |
|
Платформа |
Concept II (кластерная платформа Novellus / Lam Research) |
|
Диаметр обрабатываемых пластин |
150–200 мм (6–8 дюймов) |
|
Прекурсоры |
TEOS (тетраэтоксисилан), O₃ (озон), SiH₄ (силан), N₂O, He, Ar |
|
Осаждаемые материалы |
Диоксид кремния (SiO₂), легированные слои (PSG, BPSG), фторсиликатное стекло (FSG) |
|
Температура осаждения |
350–550 °C (в зависимости от рецепта) |
|
Давление в камере |
50–600 Торр (субатмосферное осаждение, SACVD) |
|
Скорость осаждения |
До 3000–5000 Å/мин (зависит от рецепта) |
|
Равномерность толщины |
≤ ±2% (по пластине) |
|
Заполнение структур (gap fill) |
Оптимизировано для заполнения изоляционных траншей (STI) и межслойных зазоров с высоким соотношением сторон (≥ 5:1) |
|
Система загрузки |
Автоматический манипулятор в составе кластерной платформы Concept II |
|
Управление |
Промышленный ПК с программным обеспечением Novellus / Lam Research для контроля процесса |
|
Вакуумная система |
Турбомолекулярный и механический насосы |
|
Габариты (Ш × Г × В) |
В составе платформы Concept II (типовые размеры кластера) |
|
Масса |
Зависит от конфигурации кластера |
|
Напряжение питания |
200–480 В, 3 фазы, 50/60 Гц |
|
Потребляемая мощность |
Примерно 5–8 кВт (модуль осаждения) |
|
Ключевые особенности |
Субатмосферное осаждение (SACVD) |
Ключевые особенности
- Процесс протекает при давлении ниже атмосферного (50–600 Торр), что обеспечивает улучшенную заполняющую способность (gap fill) для структур с высоким соотношением сторон (STI, предметаллические диэлектрики).
- Осаждение с использованием TEOS и озона
Комбинация TEOS (тетраэтоксисилан) и озона (O₃) позволяет осаждать высококачественные слои диоксида кремния с отличной заполняющей способностью и низким уровнем загрязнений.
- Платформа Concept II позволяет обрабатывать пластины в нескольких модулях параллельно, обеспечивая высокую производительность (до 40–60 пластин в час).
- Процесс Altus оптимизирован для заполнения узких зазоров (gap fill) в структурах с высоким соотношением сторон (high aspect ratio), что критически важно для современных технологических узлов.
Производство: США
JoomShopping Download & Support