Centura WCVD


0 USD
Centura WCVD — это промышленный модуль химического осаждения вольфрама (Tungsten Chemical Vapor Deposition) на платформе Centura компании Applied Materials. Система предназначена для осаждения вольфрамовых слоев, используемых для заполнения контактов, переходных отверстий и формирования линий в полупроводниковых устройствах. Ниже приведены основные технические характеристики и особенности этой системы.

Основные технические характеристики Centura WCVD

Параметр

Значение

Модель

Centura WCVD (Tungsten CVD)

Тип

Химическое осаждение из газовой фазы (CVD)

Диаметр обрабатываемых пластин

150–200 мм (6–8 дюймов), опционально 300 мм

Прекурсоры

WF₆ (гексафторид вольфрама), H₂, SiH₄ (силан), Ar

Осаждаемые материалы

Вольфрам (W), зародышевый слой вольфрама (W nucleation)

Температура осаждения

300–500 °C (в зависимости от рецепта)

Давление в камере

10–100 Торр (типичное значение)

Скорость осаждения

До 2000–3000 Å/мин (для объемного слоя)

Равномерность толщины

≤ ±2% (по пластине)

Заполнение структур (gap fill)

Оптимизировано для структур с высоким соотношением сторон (≥ 10:1)

Система загрузки

Автоматический манипулятор, однопластинная обработка

Управление

Промышленный ПК с программным обеспечением для контроля процесса

Вакуумная система

Турбомолекулярный и механический насосы

Габариты (Ш × Г × В)

В составе платформы Centura (типовые размеры кластера)

Масса

Зависит от конфигурации кластера

Напряжение питания

200–480 В, 3 фазы, 50/60 Гц

Потребляемая мощность

Примерно 8–12 кВт (модуль осаждения)

 

Ключевые особенности

  • Двухстадийный процесс осаждения вольфрама

Зародышевый слой (nucleation): Осаждение тонкого слоя вольфрама с использованием WF₆ и SiH₄. Обеспечивает адгезию и основу для последующего объемного осаждения.

Объемное осаждение (bulk deposition): Осаждение основного слоя вольфрама с использованием WF₆ и H₂. Обеспечивает высокую скорость осаждения и заполнение структур.

  • Высокая заполняющая способность (gap fill)

Процесс оптимизирован для заполнения контактов и переходных отверстий с высоким соотношением сторон (до 10:1 и выше) без образования пустот (voids).

  • Низкое удельное сопротивление

Осажденные вольфрамовые слои имеют низкое удельное сопротивление, что критически важно для уменьшения паразитных сопротивлений в металлизации.

Отличная однородность и воспроизводимость

 

Производство: США
Copyright MAXXmarketing GmbH
JoomShopping Download & Support