Применение продукта: подходит для предварительной обработки, измерения и обнаружения дефектов в процессе производства полупроводников.
Технические характеристики
- Система основного осмотра/ повторного осмотра с большим увеличением.
- Платформа уровня нм.
- Встроенная система АЦП позволяет осуществлять отслеживание дефектных процессов.
- Коаксиальный массив с двумя оптическими путями, быстрое сканирование.
- Поддерживает мульти-ROI, многоуровневое обнаружение разделов.
Технические параметры
|
Тип продукта |
4-дюймовая пластина 6-8 дюймов |
|
Объекты 2D-проверки |
Посторонние предметы, царапины, трещины и другие дефекты. |
|
2D-измерение |
измерение размера RDL, TSV |
|
Коробка с пленкой и метод передачи |
SMIF или открытие замятия |
|
Объектив и разрешение |
5x (1,1 мкм)/7,5x (0,73 мкм)/10x (0,55 мкм)/20x (0,275 мкм) |
|
Точность |
0,275 мкм/пиксель |
|
Модель |
Стоимость, доллары США |
|
Высокоточная система контроля дефектов Wafer 2D. |
Цена по запросу. |
JoomShopping Download & Support