Applied Centura Sprint Tungsten CVD

Параметр

Значение

Модель

Centura Sprint Tungsten CVD

Тип

Химическое осаждение из газовой фазы (CVD)

Платформа

Centura (высокопроизводительная кластерная платформа Applied Materials)

Диаметр обрабатываемых пластин

200–300 мм (8–12 дюймов)

Прекурсоры

WF₆ (гексафторид вольфрама), H₂, SiH₄ (силан), B₂H₆ (диборан) для зародышевого слоя

Осаждаемые материалы

Вольфрам (W), зародышевый слой вольфрама (W nucleation), легированный вольфрам

Температура осаждения

300–450 °C (в зависимости от рецепта)

Давление в камере

10–100 Торр

Скорость осаждения

До 3000–4000 Å/мин (для объемного слоя)

Равномерность толщины

≤ ±1% (по пластине)

Заполнение структур (gap fill)

Оптимизировано для структур с высоким соотношением сторон (≥ 10:1) и узких зазоров (≤ 20 нм)

Система загрузки

Автоматический манипулятор в составе кластерной платформы Centura

Управление

Промышленный ПК с программным обеспечением Applied Materials (APC, E3) для контроля процесса, автоматической настройки и статистического контроля

Вакуумная система

Турбомолекулярный и механический насосы, опционально криогенные насосы для улучшенного вакуума

Габариты (Ш × Г × В)

В составе платформы Centura (типовые размеры кластера)

Масса

Зависит от конфигурации кластера

Напряжение питания

200–480 В, 3 фазы, 50/60 Гц

Потребляемая мощность

Примерно 8–12 кВт (модуль осаждения)