Основные технические характеристики AMAT Precision 5000 WCVD
|
Параметр |
Значение |
|
Модель |
Precision 5000 WCVD |
|
Тип |
Химическое осаждение из газовой фазы (CVD) |
|
Платформа |
Precision 5000 (кластерная система Applied Materials) |
|
Диаметр обрабатываемых пластин |
150–200 мм (6–8 дюймов) |
|
Прекурсоры |
WF₆ (гексафторид вольфрама), H₂, SiH₄ (силан), Ar |
|
Осаждаемые материалы |
Вольфрам (W), зародышевый слой вольфрама (W nucleation) |
|
Температура осаждения |
300–500 °C (в зависимости от рецепта) |
|
Давление в камере |
10–100 Торр (типичное значение) |
|
Скорость осаждения |
До 2000–3000 Å/мин (для объемного слоя) |
|
Равномерность толщины |
≤ ±2% (по пластине) |
|
Заполнение структур (gap fill) |
Оптимизировано для структур с высоким соотношением сторон (≥ 10:1) |
|
Система загрузки |
Автоматический манипулятор в составе кластерной платформы Precision 5000 |
|
Управление |
Промышленный ПК с программным обеспечением Applied Materials для контроля процесса |
|
Вакуумная система |
Турбомолекулярный и механический насосы |
|
Габариты (Ш × Г × В) |
В составе платформы Precision 5000 (типовые размеры кластера) |
|
Масса |
Зависит от конфигурации кластера |
|
Напряжение питания |
200–480 В, 3 фазы, 50/60 Гц |
|
Потребляемая мощность |
Примерно 5–8 кВт (модуль осаждения) |
Ключевые особенности
Двухстадийный процесс осаждения вольфрама
Производство: США
JoomShopping Download & Support