Centura MetalEtch

Параметр

Значение

Модель

Centura MetalEtch (Metal Etch)

Тип

Плазменное травление (Reactive Ion Etch, RIE)

Диаметр обрабатываемых пластин

150–200 мм (6–8 дюймов), опционально 300 мм

Типы травления

Алюминий (Al), алюминиевые сплавы (Al–Cu, Al–Si), вольфрам (W), другие металлы

Источник плазмы

Емкостная (диодная) плазма с подачей ВЧ-мощности на электрод и/или камеру

Частота ВЧ-источника

13.56 МГц (стандартно), опционально 2 МГц для улучшенного контроля ионной бомбардировки

ВЧ-мощность

До 2000 Вт (на электрод), регулируемая

Температура пластины

Регулируемая, от –20 °C до +80 °C (с использованием гелия для охлаждения обратной стороны)

Газовая система

Многоканальная подача газов (до 8 линий) с масс-расходомерами (MFC)

Типовые газы

Cl₂, BCl₃, HBr, Ar, N₂, CHF₃, CF₄

Вакуумная система

Турбомолекулярный и механический насосы

Предельный вакуум

~10⁻⁵–10⁻⁶ Па

Система загрузки

Автоматический манипулятор, однопластинная обработка в составе кластерной платформы Centura

Управление

Промышленный ПК с программным обеспечением для контроля процесса

Габариты (Ш × Г × В)

В составе платформы Centura (типовые размеры кластера)

Масса

Зависит от конфигурации кластера

Напряжение питания

200–480 В, 3 фазы, 50/60 Гц

Потребляемая мощность

Примерно 5–8 кВт (модуль травления)