Centura DCVD TEOS


0 USD
Centura DCVD TEOS — это промышленная система химического осаждения из газовой фазы при пониженном давлении (Sub-Atmospheric Chemical Vapor Deposition, SACVD) на платформе Centura компании Applied Materials. Система предназначена для осаждения диэлектрических слоев с использованием тетраэтоксисилана в качестве прекурсора.

Основные технические характеристики Centura DCVD TEOS

Параметр

Значение

Модель

Centura DCVD TEOS

Тип

Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении (SACVD)

Диаметр обрабатываемых пластин

150–200 мм (6–8 дюймов), опционально 300 мм

Прекурсоры

Тетраэтоксисилан (TEOS), кислород (O₂), гелий (He), азот (N₂)

Осаждаемые материалы

Диоксид кремния (SiO₂), легированные слои (PSG, BPSG)

Температура осаждения

400–700 °C (в зависимости от рецепта)

Давление в камере

50–300 Торр (субатмосферное)

Скорость осаждения

До 1000 Å/мин (зависит от рецепта)

Равномерность толщины

≤ ±2% (по пластине)

Однородность по пластине

≤ ±3% (типовое значение)

Система загрузки

Автоматический манипулятор, однопластинная обработка

Управление

Промышленный ПК с программным обеспечением для контроля процесса

Вакуумная система

Турбомолекулярный и механический насосы

Габариты (Ш × Г × В)

В составе платформы Centura (типовые размеры кластера)

Масса

Зависит от конфигурации кластера

Напряжение питания

200–480 В, 3 фазы, 50/60 Гц

Потребляемая мощность

Примерно 5–10 кВт (модуль осаждения)

 

Ключевые особенности

  • Субатмосферное осаждение (SACVD)

Процесс протекает при давлении ниже атмосферного (50–300 Торр), что обеспечивает улучшенную заполняющую способность (gap fill) и высокую однородность осаждаемых слоев.

  • Тетраэтоксисилан (TEOS) позволяет осаждать высококачественные слои диоксида кремния с отличной воспроизводимостью и низким уровнем загрязнений.

Платформа Centura поддерживает одновременную работу нескольких технологических модулей, что позволяет обрабатывать до 80–100 пластин в час (зависит от рецепта и конфигурации).

  • Процесс SACVD TEOS оптимизирован для заполнения узких зазоров (gap fill) в структурах с высоким соотношением сторон (high aspect ratio), что критически важно для современных технологических узлов.
  • Модульная архитектура на платформе Centura

Установка интегрируется в кластерную систему Centura, позволяя объединять несколько технологических модулей (CVD, PVD, RTP, очистка) в едином вакуумном цикле, что снижает риск загрязнения и повышает производительность.

 

Производство: США
Copyright MAXXmarketing GmbH
JoomShopping Download & Support