Технические характеристики
Подходит для травления оксида кремния, нитрида, металлов и органических пленок.
Плазма высокой плотности, генерируемая ICP.
Может травить 8-дюймовые пластины или 9,5-дюймовые подложки.
Надежность, низкая стоимость и высокая производительность.
Технические параметры
|
Материал |
Керамика |
|
Структура макета |
Единая полость загрузки или структура кластера |
|
Источник ионов технологической камеры |
Радиальный ВЧД |
|
Размер пластин |
Макс. 8 дюймов |
|
Заднее охлаждение пластины |
Гелий |
|
Макс. источник питания ICP |
РФ 5 кВт |
|
Типовое количество газовых каналов |
6 шт., 100 500 см/см |
|
Газы |
Ar, O2, N2, CH4, CF4, SF6, C4F8, Cl2, BCl3, HBr |
|
Модель |
Стоимость, доллары США |
|
СИСТЕМА AVP ICP RIE |
Цена по запросу |
JoomShopping Download & Support