Технические характеристики
Оборудование в основном используется для двусторонней юстировки и экспонирования в области полупроводниковых оптоэлектронных приборов, силовых приборов, датчиков, гибридных схем, СВЧ-устройств и микроэлектромеханических систем (МЭМС).
Машина в основном разработана путем двойного выравнивания и экспонирования фотоэлектрического устройства, силового устройства, датчиков, гибридных схем, микроволнового устройства, MEMS и т. Д.
Технические параметры
|
Параметры |
Технические индикаторы |
Параметры |
Технический индекс |
|
Применимый размер подложки |
Макс. φ6 дюймов (φ150 мм) |
Размер субстрата |
Макс. φ6"(φ150 мм) |
|
Применяется к размеру маски |
Макс. 7"(175мм×175мм） |
Размер маски |
макс. 7"(175 мм×175 мм) |
|
Точность выравнивания верхней и нижней прицельных сеток |
±3 мкм |
Точность выравнивания маски |
±3 мкм |
|
Точность выравнивания маски по подложке |
±3 мкм (с одной стороной и двумя маркерами) |
Точность выравнивания маски по подложке |
±3 мкм (обнаружение одной стороны с двумя метками) |
|
Разрешение экспозиции |
6 мкм(Толщина позитивного клея и клейкой пленки не больше.)1 мкм） |
Разрешение экспозиции |
6 мкм(Толщина позитива и пленки не более 1 мкм） |
|
Модель |
Стоимость, доллары США |
|
Аппарат двухсторонней экспозиции SB-602 |
По запросу |
JoomShopping Download & Support