Технические характеристики
Оборудование в основном используется для двусторонней юстировки и экспонирования в области полупроводниковых оптоэлектронных приборов, силовых приборов, датчиков, гибридных схем, СВЧ-устройств и микроэлектромеханических систем (МЭМС).
Машина в основном разработана путем двойного выравнивания и экспонирования фотоэлектрического устройства, силового устройства, датчиков, гибридных схем, микроволнового устройства, MEMS и т. Д.
Технические параметры
|
Параметры |
Технические индикаторы |
Параметры |
Технический индекс |
|
Применимый размер подложки |
Макс. φ4(φ100 мм) |
Размер субстрата |
Макс. φ4 дюйма (φ100 мм) |
|
Применяется к размеру маски |
макс. 5(125 мм×125 мм) |
Размер маски |
Макс. 5 дюймов (125 мм×125 мм) |
|
Точность выравнивания верхней и нижней прицельных сеток |
±3 мкм |
Точность выравнивания маски |
±3 мкм |
|
Точность выравнивания маски по подложке |
±3 мкм (с одной стороной и двумя маркерами) |
Точность выравнивания маски по подложке |
±3 мкм (обнаружение одной стороны с двумя метками) |
|
Разрешение экспозиции |
3 мкм (позитивный гель) 5 мкм (отрицательный гель) |
Разрешение экспозиции |
3 мкм (положительный PR)5 мкм (отрицательный PR) |
|
Модель |
Стоимость, доллары США |
|
Аппарат двухсторонней экспозиции SB-402 |
По запросу |
JoomShopping Download & Support