Основные технические характеристики Sentech SI500
|
Параметр |
Значение |
|
Модель |
SI500 |
|
Тип |
Плазменное травление (Reactive Ion Etching, RIE) с индуктивно-связанной плазмой (ICP) |
|
Диаметр обрабатываемых пластин |
До 200 мм (8 дюймов) |
|
Размер образцов |
До 200 × 200 мм для квадратных образцов |
|
Источник плазмы |
Индуктивно-связанная плазма (ICP) с независимым управлением плотностью плазмы и энергией ионов |
|
Частота ВЧ-источника |
13.56 МГц (источник плазмы) и 13.56 МГц или 400 кГц (смещение на подложкодержателе) |
|
ВЧ-мощность |
До 1000–2000 Вт (ICP), до 300–600 Вт (смещение) |
|
Температура пластины |
Регулируемая, от –20 °C до +200 °C (с использованием гелия для охлаждения обратной стороны) |
|
Газовая система |
Многоканальная подача газов (до 6–8 линий) с масс-расходомерами (MFC) |
|
Типовые газы |
SF₆, CF₄, CHF₃, C₄F₈, Cl₂, BCl₃, HBr, Ar, O₂, N₂ |
|
Вакуумная система |
Турбомолекулярный насос (до 500–1000 л/с) и механический насос |
|
Предельный вакуум |
< 10⁻⁶ Па |
|
Система загрузки |
Ручная или автоматическая (опционально) |
|
Управление |
Промышленный ПК с программным обеспечением Sentech для контроля процесса, создания рецептов, автоматической настройки и статистического контроля |
|
Габариты (Ш × Г × В) |
Примерно 1.2 × 1.0 × 1.8 м |
|
Масса |
Примерно 400–500 кг |
|
Напряжение питания |
200–400 В, 3 фазы, 50/60 Гц |
|
Потребляемая мощность |
Примерно 2–4 кВт |
Производство: Германия
JoomShopping Download & Support