Endura Volta W CVD

Параметр

Значение

Модель

Endura Volta W CVD

Тип

Химическое осаждение из газовой фазы (CVD)

Платформа

Endura (высокопроизводительная кластерная платформа Applied Materials)

Диаметр обрабатываемых пластин

200–300 мм (8–12 дюймов)

Прекурсоры

WF₆ (гексафторид вольфрама), H₂, SiH₄ (силан), B₂H₆ (диборан) для зародышевого слоя

Осаждаемые материалы

Вольфрам (W), зародышевый слой вольфрама (W nucleation), легированный вольфрам

Температура осаждения

300–450 °C (в зависимости от рецепта)

Давление в камере

10–100 Торр

Скорость осаждения

До 3000–4000 Å/мин (для объемного слоя)

Равномерность толщины

≤ ±1% (по пластине)

Заполнение структур (gap fill)

Оптимизировано для структур с высоким соотношением сторон (≥ 10:1) и узких зазоров (≤ 20 нм)

Система загрузки

Автоматический манипулятор в составе кластерной платформы Endura

Управление

Промышленный ПК с программным обеспечением Applied Materials (APC, E3) для контроля процесса, автоматической настройки и статистического контроля

Вакуумная система

Турбомолекулярный и механический насосы, опционально криогенные насосы для улучшенного вакуума

Габариты (Ш × Г × В)

В составе платформы Endura (типовые размеры кластера)

Масса

Зависит от конфигурации кластера

Напряжение питания

200–480 В, 3 фазы, 50/60 Гц

Потребляемая мощность

Примерно 8–12 кВт (модуль осаждения)