Triase + W

Параметр

Значение

Модель

Triase+ W

Тип

Плазменное травление (Reactive Ion Etching, RIE)

Диаметр обрабатываемых пластин

150–200 мм (6–8 дюймов)

Типы травления

Вольфрам (W), вольфрамовые сплавы, металлы (Ti, TiN, Al)

Источник плазмы

Индуктивно-связанная плазма (ICP) с независимым управлением плотностью плазмы и энергией ионов

Частота ВЧ-источника

13.56 МГц (для создания плазмы) и низкочастотный источник (для смещения)

ВЧ-мощность

До 2000 Вт (источник плазмы), до 1000 Вт (смещение)

Температура пластины

Регулируемая, от –20 °C до +80 °C (с использованием гелия для охлаждения обратной стороны)

Газовая система

Многоканальная подача газов (до 6–8 линий) с масс-расходомерами (MFC)

Типовые газы

SF₆, CF₄, Cl₂, BCl₃, HBr, Ar, O₂, N₂

Вакуумная система

Турбомолекулярный и механический насосы

Предельный вакуум

~10⁻⁵–10⁻⁶ Па

Система загрузки

Кассетная загрузка (автоматическая) или ручная загрузка (в зависимости от конфигурации)

Управление

Промышленный ПК с программным обеспечением Hitachi для контроля процесса, автоматической настройки и статистического контроля

Габариты (Ш × Г × В)

Примерно 1.2 × 1.2 × 2.0 м

Масса

Примерно 800–1000 кг

Напряжение питания

200–480 В, 3 фазы, 50/60 Гц

Потребляемая мощность

Примерно 3–5 кВт