RTP-200

Применение

Быстрый термический отжиг (БТО)
Быстрое термическое окисление (БТО)
Быстрое термическое нитридирование (БТН)
Быстрая термическая диффузия (БТД)
Отжиг в омическом контакте
Кристаллизация

Образец продукта

Si, сапфир, стекло, керамика и т. д.

Размер подложки

8 дюймов

Держатель подложки

Стандарт: кварц (штифт) / Опция: графит с покрытием из карбида кремния

Диапазон температур

150–1250 °C

Скорость нагрева

10–150 °C/с для кремниевой пластины 10–40 °C/с для подложки на графитовом держателе с покрытием из карбида кремния

Зона контроля

6-Зонный

Равномерность температуры

≤ ±1,5 % (800 °C, кремниевая пластина без графитового держателя с покрытием из карбида кремния) ≤ ±1,0 % (800 °C, кремниевая пластина с графитовым держателем с покрытием из карбида кремния)

Точность измерения температуры

≤ ±3℃

Повторяемость температуры

≤ ±3℃

Вакуум

Стандарт: 5,0E-3 торр / Опция: 1,0E-6 торр

Подача газа

5 каналов (с возможностью расширения)

Контроль

Управление ПК

Размер (Ш*Д*В)

1300 мм * 820 мм * 1300 мм

Модель

Стоимость, доллары США

RTP-200

 По запросу