Встроенный анализатор XRD-XRF AL-Y3500xrdf

Высококачественный аналитический прибор, сочетающий в себе технологию рентгеновской дифракции (XRD) и технологию рентгеновской спектроскопии (EDS). В основном используется для анализа элементного состава и определения структурных характеристик материалов.

Технические характеристики

• Эффективная интеграция. За одно измерение можно получить как дифракционные, так и спектральные данные одновременно, избегая затрат времени и ошибок, связанных с традиционными пошаговыми измерениями;
• Высокая чувствительность и точность;
• Многофункциональное расширение. Различные функциональные принадлежности отвечают потребностям различных целей тестирования, поддерживают различные формы образцов (порошок, сыпучая масса, пленка и т.д.) и подходят для тестирования высокостабильных систем управления генераторами рентгеновского излучения в особых условиях, таких как высокая температура, низкотемпературный режим и высокое давление, для получения более стабильной и воспроизводимой точности измерений;
• Аппаратная интеграция. Совместное использование источника рентгеновского излучения, этапа отбора проб и системы управления для обеспечения синхронизации оптического тракта и согласования сигналов двух технологий;
• Объединение данных. Специальное программное обеспечение используется для совместного анализа дифракционной картины и спектральных данных, объединения информации о кристаллической структуре методом рентгеновской дифракции (XRD) с данными об элементном составе методом рентгеновской флуоресцентной спектроскопии (XRF) и реализации полномерной характеристики вещества;
• Идентификация одной или нескольких физических фаз в неизвестных образцах, одновременно может быть проанализировано 40 элементов;
• Использует мультиколлиматорную и кабельную щелевую систему и запатентовал технологию с независимыми правами интеллектуальной собственности;
• Анализ кристаллической структуры (Rietveld structure analysis), программное обеспечение содержит анализ базовых параметров, метод эмпирических коэффициентов;
• Анализ образца пленки, включая фазу пленки, толщину многослойной пленки, шероховатость поверхности и плотность заряда;
• Анализ образцов микрозон, анализ текстуры и напряжений металлических материалов.