LAM Rainbow 4520

Параметр

Значение

Модель

Rainbow 4520

Тип

Плазменное травление (Reactive Ion Etching, RIE)

Диаметр обрабатываемых пластин

150–200 мм (6–8 дюймов)

Типы травления

Диэлектрики (SiO₂, Si₃N₄), поликремний, металлы (Al, W)

Источник плазмы

Емкостная (диодная) плазма с возможностью подачи ВЧ-мощности на электрод и/или камеру

Частота ВЧ-источника

13.56 МГц (стандартно)

ВЧ-мощность

До 600 Вт (на электрод), до 1000 Вт (на камеру, опционально)

Температура пластины

Регулируемая, от –20 °C до +80 °C (с использованием гелия для охлаждения обратной стороны пластины)

Газовая система

Многоканальная подача газов (до 6–8 линий) с масс-расходомерами (MFC)

Типовые газы

CF₄, CHF₃, C₂F₆, SF₆, Cl₂, BCl₃, HBr, Ar, O₂, N₂

Вакуумная система

Турбомолекулярный и механический насосы

Предельный вакуум

~10⁻⁵–10⁻⁶ Па

Система загрузки

Ручная или кассетная (опционально)

Управление

Промышленный ПК или программируемый логический контроллер (PLC)

Габариты (Ш × Г × В)

Примерно 1.2 × 1.2 × 2.0 м

Масса

Примерно 800–1000 кг

Напряжение питания

200–480 В, 3 фазы, 50/60 Гц

Потребляемая мощность

Примерно 3–5 кВт (без учета вспомогательного оборудования)

Травление диэлектриков

SiO₂, Si₃N₄, стекло (BPSG, PSG) для формирования контактных окон и изоляционных траншей

Травление поликремния

Формирование затворов транзисторов, резисторов и других структур

Травление металлов

Алюминий (Al) и вольфрам (W) для формирования слоев металлизации

Травление проводящих слоев

Силициды (WSi₂, TiSi₂) и другие материалы