Параметры (арсенид-галлиевые пластины, 4 дюйма / 100 мм):
|
Параметр |
Значение |
Единица |
|
Материал |
GaAs |
|
|
Метод выращивания |
VGF |
|
|
Тип проводимости |
n-тип |
|
|
Легирующая примесь |
GaAs-Si |
|
|
Диаметр |
100 ± 0.2 |
мм |
|
Ориентация |
(100) 15° в сторону <111>A |
|
|
Угол ориентации |
180° |
|
|
Ориентация ЛОФ (OF) |
EJ[0-1-1] ±0.5° |
|
|
Длина ЛОФ (OF) |
32.5 ± 1 |
мм |
|
Ориентация ИОФ (IF) |
Н/Д |
|
|
Длина ИОФ (IF) |
Н/Д |
|
|
Удельное сопротивление |
(1-6)E-3 |
Ом·см |
|
Плотность дислокаций (EPD) |
≤ 5000 |
/см² |
|
Лазерная маркировка |
Н/Д |
|
|
Толщина |
350 ± 20 |
мкм |
|
Общее отклонение толщины (TTV) |
≤ 10 |
мкм |
|
Изгиб (Bow) |
≤ 15 |
мкм |
|
Коробление (Warp) |
≤ 15 |
мкм |
JoomShopping Download & Support