|Z| Probe® Power

Обзор продукта

Спрос на доступ к расширенному контенту в любой точке мира стимулирует рост беспроводной передачи информации. Это увеличивает потребность в устройствах радиочастотного питания в беспроводных системах и новых технологиях, таких как GaN и SiC. Это, в свою очередь, требует определения характеристик этих новых технологий на уровне пластин, что значительно сокращает время, необходимое для разработки новых моделей. Эти модели используются в новых конструкциях устройств, которые затем внедряются в системы беспроводной передачи (базовые станции, спутники и т.д.) Для удовлетворения потребностей потребителей, жаждущих контента.

Для обеспечения высокоточной характеристики устройств питания радиочастотного диапазона на уровне пластины |Z| Probe® Power, основанный на проверенной технологии |Z| Probe, работает с высокой мощностью на высоких частотах (до 40 ГГц). |Z| Probe Power обеспечивает превосходную воспроизводимость контактов и чрезвычайно низкое контактное сопротивление для получения точных результатов при нагрузочных измерениях, которые типичны для характеристики устройств питания радиочастотного диапазона.

Поскольку для обеспечения высокого коэффициента отражения (Γ) при измерениях нагрузки и шумовых параметров необходимо поддерживать низкие вносимые потери, |Z| Probe Power был разработан для обеспечения чрезвычайно низких вносимых потерь. Это означает, что вы получаете более точные измерения, особенно при сопротивлении, отличном от 50 Ом.

Основные характеристики

• Высокая мощность — 66 Вт на частоте 2,4 ГГц и 43 Вт на частоте 5 ГГц
• Чрезвычайно низкие вносимые потери ≤ 0,4 дБ (типичное значение) до 40 ГГц
• Отличный контроль контакта и низкое контактное сопротивление
• Высокая производительность при работе с любым материалом прокладки (Al или Au)
• Самый долгий срок службы — обычно один миллион (1 000 000) тачдаунов