Технические характеристики
- Направленное ионное распыление высокой концентрации.
- Высокоскоростное реактивное распыление, скорость осаждения Al2O3 > 1 нм/с.
- Отличная однородность толщины пленки (1σ<1%), степень покрытия (ступенчатое покрытие ~ 50%).
- Гелиевое охлаждение на обратной стороне подложки, температура подложки (<50°C).
- Высокая целевая нагрузка (>80%).
Технические параметры
|
Конфигурация |
До 3 технологических камер, настраиваемые конфигурации, аксессуары и т. д. |
|
Технологическая камера |
HR PVD, с удаленным источником ионов |
|
Дополнительные возможности |
Точное положение подложки |
|
Размер подложки |
до 8 дюймов |
|
Обратное охлаждение подложки |
Температура основания < 50°C |
|
Вращение пластины |
0~30 об/мин |
|
Угол наклона стола |
10~80 градусов |
|
Источник питания для распыления |
Импульсный постоянный ток (PDC) + радиочастота (RF) |
|
Максимальная мощность удаленного источника ионов |
2 кВт РЧ |
|
Максимальная мощность распыления |
5 кВт для PDC; 10кВт для РФ |
|
Технологический газ |
Арг, О2 , N2 |
|
Предельный вакуум |
<8 x 10 -8 Торр |
|
Вакуумный насос |
Молекулярный насос + водяной насос CTI + сухой насос |
|
Автоматический контроль |
ПЛК |
|
Программное обеспечение |
На основе новейшего программного обеспечения управления Windows возможно дистанционное управление. |
|
Однородность пленки (1σ) |
< 1,0%, 49 точек/5 ммEE |
|
Модель |
Стоимость, доллары США |
|
AVP HR PVD |
Цена по запросу |
JoomShopping Download & Support