Серия EPEE i800 в основном используется для процессов осаждения диэлектрических пленок, таких как оксид кремния, нитрид кремния и оксинитрид кремния размером 6 дюймов и ниже. Он использует однополотную многочиповую автоматизированную архитектуру передачи и совместим с различными характеристиками подложек, такими как: сапфир, карбид кремния и арсенид галлия широко используются в составных полупроводниках, полупроводниковом освещении, научных исследованиях и других областях.
Технические характеристики
- Многопозиционная роторная система осаждения, обладающая преимуществами как производственной мощности, так и однородности.
- Хороший контроль однородности пленки на кристалле и между кристаллами.
- Полностью автоматическая система подачи пластин, эффективная и удобная.
- Высокоэффективный и мощный онлайн-процесс очистки и контроля размера частиц при осаждении.
- Интеграция множества удобных для пользователя функций управления программным обеспечением.
Размер пластины: 8 дюймов и ниже.
Применимые материалы: оксид кремния, нитрид кремния, нитрид нитридокремния.
Применимый процесс: нанесение графического защитного слоя из оксида кремния, пассивирующего защитного слоя, изолирующего слоя и маскирующего слоя
Применимая область применения: составной полупроводник, полупроводниковое освещение, область научных исследований.
|
Модель |
Стоимость, доллары США |
|
Система EPEE i800 PECVD. |
Цена по запросу. |
JoomShopping Download & Support