Применение
- Получение тонкой пленки MoS2
- Получение графена методом CVD, выращивание нанотрубок
- Быстрое термическое окисление, Быстрое термическое азотирование
- Силицирование, диффузия, контактное легирование, кристаллизация и уплотнение
Технические параметры
|
Номер модели. |
CY-T1200-50IIIC |
|
Дисплей |
Светодиодный цифровой датчик |
|
Предельная температура |
1150℃ |
|
Рабочая температура |
≤1100℃ |
|
Скорость нагрева |
0-20 ℃/мин |
|
Длина зоны нагрева |
три зоны нагрева |
|
Диаметр кварцевой трубки |
OD50* 1200мм |
|
Точность измерения температуры |
± 1℃ |
|
Нагревательный элемент |
Алхром |
|
Термический пар |
ТИП K |
|
Способ охлаждения |
Двухслойная конструкция с вентиляторным охлаждением |
|
Контроль температуры |
программируемое ПИД-регулирование на 30 ступеней |
|
Материал камеры |
Глиноземное волокно |
|
Сигнализация перегрева |
ДА |
|
Сигнализация перегрузки по току |
ДА |
|
Уплотнительный фланец |
Вакуумный фланец S.S |
|
Способ охлаждения |
принудительное охлаждение воздухом |
|
Газовый смеситель |
Односторонняя с поплавковым регулятором расхода |
|
Основная мощность |
4,5 кВт |
|
Рабочее напряжение |
220 В переменного тока, 50 Гц |
|
Модель |
Стоимость, доллары США |
|
CY-T1200-50IIIC |
По запросу |
JoomShopping Download & Support