Фоторезисты MEGAPOSIT™ SPR™220

Фоторезист i-Line MEGAPOSIT SPR220 - это многоволновой резист общего назначения, предназначенный для нанесения в один слой пленки в широком диапазоне толщин от 1 до 30 мкм.

Фоторезист MEGAPOSIT SPR220 также обладает отличной адгезией и характеристиками нанесения покрытия, что делает его идеальным для таких толстопленочных применений, как MEMs и bump-процессы.

Преимущества:

• Поддержка широкополосного доступа, g-Line и i-Line
• Толщина пленки в один слой >10 мкм с хорошей однородностью
• Высокая скорость фотосъемки: 210 МДж/см2 для линий/промежутков толщиной 1,1 мкм при толщине пленки 4 мкм (i-Line)
• Отличная адгезия при мокром и сухом травлении
• Покрытие Au, Cu и Ni/Fe без образования трещин
• Совместимость с проявителями MIF и MIB

Таблица 1. Рекомендуемые технологические условия

Различные виды применения

Таблица 2. Фотоскорость и линейность плотных линий / промежутков при различных толщинах

Рисунок 2. Разрешение при толщине пленки 3,0 мкм

Подложка: Фоторезист MEGAPOSIT SPR220 совместим с широким спектром подложек, включая, но не ограничиваясь ими, кремний, оксид алюминия, золото, медь и никель-железо. Для улучшения адгезии к подложкам, требующим такой обработки, рекомендуется использовать грунтовку MICROPOSIT™ на основе гексаметилдисилизана (HMDS). Рекомендуется вакуумная обработка паром при 120°C в течение30 секунд концентрированным HMDS.

Покрытие: На рисунке 3 показана зависимость толщины резиста от скорости вращения для подложек размером 4 дюйма. На рисунке 4 показана зависимость толщины резиста от скорости вращения для подложек размером 8 дюймов (200 мм) при нанесении фоторезиста MEGAPOSIT SPR220-7.0. Исходя из этой кривой, при скорости вращения 375 об/мин толщина пленки составит приблизительно 30 мкм. Номинальная толщина пленки может незначительно варьироваться в зависимости от процесса, оборудования и условий окружающей среды.

Сушка: Рекомендуемая технология сушки для фоторезистов MEGAPOSIT SPR220 для пленок до 4,0 мкм предполагает сушку при 115 °C в течение 90 секунд на контактной горячей плите. Для пленок более 4,0 мкм используйте 30-секундное изменение температуры (понижение до горячей плиты) до 115 °C и выдерживайте в течение минимум 90 секунд. Для пленок толщиной более 12 мкм используйте 30-секундное изменение температуры (понижение до горячей плиты) до 115 °C и выдерживайте в течение минимум 300 секунд.

Измерение толщины пленки: На рисунке 5 показан показатель преломления фоторезиста MEGAPOSIT SPR220 в зависимости от длины волны. Коэффициенты Коши приведены в таблице 3. Показатели преломления и параметры дилда приведены в таблицах 4 и 5 соответственно.

Для пленки толщиной более 12 мкм резист подвергается воздействию дозы энергии от 700 до 1300 мДж/см² (измеренной с помощью стандартного радиометра при длине волны 365 нм) с использованием высокоэнергетического источника света, генерирующего пиковое излучение с длинами волн от 350 до 400 нм. Равномерность покрытия и применяемые параметры мягкого запекания могут влиять на требуемую энергию облучения, необходимую для стандартизации и определения оптимизированной экспозиции.

Экспонирование: Кривые светопоглощения для необлученной и облученной пленки резиста показаны на рисунке 6

Термообработка после экспонирования:  Постэкспозиционная термообработка (ПЭО) проводится при той же температуре, что и мягкая термообработка. Для более толстых пленок (более 4 мкм) используется выдержка между экспозицией и ПЭО, чтобы позволить воде (необходимой для завершения фотореакции) диффундировать обратно в фоторезистивную пленку. Для толстых пленок следует использовать выдержку не менее 35 минут. Для пленок толщиной более 12 мкм требуется выдержка не менее 120 минут между экспозицией и проявлением.

Проявление: Фоторезист MEGAPOSIT SPR220 оптимизирован для проявителей с чувствительностью 0,24 Н. Для более толстых пленок или высокопроизводительных процессов можно использовать проявители с чувствительностью 0,26 Н. Фоторезист MEGAPOSIT SPR220 также разработан для использования в проявителях, не содержащих ионов металлов, и с ионами металлов, как показано на рисунке 7. Рекомендуемые условия проявления см. в таблице 6.

Таблица 6 Рекомендуемые условия проявления

Стойкость к травлению: При нанесении толстых пленок толщиной 12 мкм и более с использованием проявителя MF-26A общее время проявления будет аналогично времени для тонких пленок, указанному на рисунке 7 выше.

На рисунке 8 показана эффективность травления SPR220 с использованием процесса травления Bosch (селективность травления 100:1).

Удаление фоторезиста: Фоторезист MEGAPOSIT SPR220 можно удалить с помощью MICROPOSIT REMOVER 1165.

Рекомендуется двухэтапный процесс, при этом температура каждой ванны должна составлять 80°C (176°F).

Первая ванна удаляет основную часть фоторезиста, а вторая — остаточные следы фоторезиста.

Для получения дополнительной информации о процессе обратитесь к техническим характеристикам конкретного средства для удаления фоторезиста.