Космические трехпереходные солнечные элементы (чипы)

Размер чипа

80 × 40 ± 0.1

мм²

Активная площадь элемента

3018

мм²

Толщина чипа

175 ± 20 / 145 ± 20

мкм

Средний вес

98.83

мг/см²

Подложка

Ge

p-металлизация

Au сплав

n-металлизация

Au сплав

Размер электрода

7.5 × 0.9

мм²

Эпитаксиальная структура

GaInP/InGaAs/Ge

Полярность

N-P

Поглощательная способность

≤ 0.91 (с CMX 100AR)

Испытание на отрыв (Pull Test)

> 1.6 Н при 45° (с Ag полосками 25 мкм)

Н

Статус

Квалифицирован

Среднее напряжение холостого хода (Voc)

2740

2520

2470

мВ

Средний ток короткого замыкания (Isc)

522.1

516.0

507.0

мА

Напряжение макс. мощности (Vmp)

2450

2250

2200

мВ

Ток макс. мощности (Imp)

501.0

495.0

485.9

мА

Средняя эффективность η bare (136.7 мВт/см²)

30.0

27.3

26.2

%

*IV (условия испытаний): AM0, T=25°C, 136.7 мВт/см² при флюенсе 1 МэВ [e⁻/см²]*

Напряжение холостого хода

ΔVoc/ΔT↑

-6.2

-6.5

-6.6

-6.7

мВ/°C

Ток короткого замыкания

ΔIsc/ΔT↑

0.36

0.33

0.35

0.38

мА/°C

Напряжение макс. мощности

ΔVmp/ΔT↑

-6.7

-6.8

-7.1

-7.2

мВ/°C

Ток макс. мощности

ΔImp/ΔT↑

0.24

0.20

0.24

0.28

мА/°C