GaAs трехпереходные солнечные элементы (эпитаксиальные пластины) для космического применения


Производитель: Китай

0 USD

Механические данные:

Параметр

Значение

Единица

Диаметр подложки

100 ± 0.2

мм

Толщина подложки

175 ± 15 / 145 ± 15

мкм

Длина эталонной кромки (OF Length)

32.5 ± 2 / 15 ± 1

мм

Эпитаксиальная структура

GaInP/InGaAs/Ge


Электрические данные:

Параметр

BOL

1E14

1E15

Единица

Среднее напряжение холостого хода (Voc)

2740

2575

2520

2470

мВ

Средняя плотность тока короткого замыкания (Jsc)

17.3

17.3

17.1

16.8

мА/см²

Напряжение в точке макс. мощности (Vmp)

2450

2300

2250

2200

мВ

Плотность тока в точке макс. мощности (Jmp)

16.6

16.6

16.4

16.1

мА/см²

Средняя эффективность преобразования (η)

30.0

28.8

27.3

26.2

%

*Условия испытаний: AM0, T=25°C, 135.3 мВт/см² при флюенсе 1 МэВ [e⁻/см²]*


Температурные коэффициенты:

Параметр

BOL

1E14

1E15

Единица

Напряжение холостого хода (Voc)

ΔVoc/ΔT↑

-6.2

-6.5

-6.6

-6.7

мВ/°C

Плотность тока короткого замыкания (Jsc)

ΔJsc/ΔT↑

11.9

10.9

11.6

12.6

мкА/см²/°C

Напряжение макс. мощности (Vmp)

ΔVmp/ΔT↑

-6.7

-6.8

-7.1

-7.2

мВ/°C

Плотность тока макс. мощности (Jmp)

ΔJmp/ΔT↑

7.9

6.6

7.9

9.3

мкА/см²/°C

Copyright MAXXmarketing GmbH
JoomShopping Download & Support