Кремниево-германиевые пластины, широко известные как SiGe, служат основой для более эффективных и мощных чипов, чем те, что сделаны из одного лишь кремния, и стоят в разы дешевле пластин из чистого арсенида галлия. В этой статье мы расскажем о некоторых их преимуществах.
Что такое кремниево-германиевые пластины?
Кремниево-германиевые пластины были впервые разработаны компанией IBM в 1996 году. Они состоят из двух компонентов:
Монокристаллическая пластина с эпитаксиальным слоем германия, покрывающим ее внешнюю поверхность
Германиевая пластина, пропитанная кремнием
Основные характеристики германиевых пластин
Кристаллическая структура германиевых пластин аналогична структуре кремния. Однако они обладают более высокой собственной концентрацией носителей заряда, что обеспечивает лучшую электропроводность.
Применение и потенциал роста
Кремниево-германиевые пластины могут расширить функциональные возможности высокоскоростных сетевых устройств, портативных беспроводных устройств, автономных вычислительных систем и высокоскоростных периферийных процессоров. Это открыло огромные возможности для роста нью-йоркского технологического гиганта.
JoomShopping Download & Support