Получение графена PECVD с тремя температурными зонами

Получение графена PECVD с тремя температурными зонами

Технические характеристики

Система CVD для улучшения качества плазмы состоит из генератора плазмы, трехтемпературной трубчатой печи, радиочастотного источника питания и вакуумной системы. Система CVD с плазменным усилением для проведения химической реакции при более низкой температуре, использование активности плазмы для ускорения реакции, поэтому CVD называется методом химического осаждения из паровой фазы с плазменным усилением (PECVD), оборудование для подготовки графеновой пленки PECVD с радиочастотным выходом 13,56 МГц производит ионизацию газа атомами пленки, образуя плазму, используя сильную химическую активность плазмы, улучшает условия реакции, используя активность плазмы для ускорения реакции, наносит желаемую пленку на подложку.

Область применения

Система CVD с усилением плазмы может использоваться при получении графена, получении сульфидов, получении наноматериалов и на других испытательных площадках. SiOx, SiNx, аморфный кремний, микрокристаллический кремний, нанокремний, SiC, алмазоподобные пленки могут быть нанесены на поверхность листа или аналогичных форм, а также могут быть нанесены легированные пленки p-типа и n-типа. Нанесенные пленки обладают хорошей однородностью, герметичностью, адгезией и изоляцией. Он широко используется в режущем инструменте, высокоточной пресс-форме, твердом покрытии, отделке с высоким качеством duan и других областях

Технические параметры