Оборудование для выращивания кристаллов Чохральского

Классификация:

Оборудование для подъема кристаллов

Технические характеристики

• Специальное оборудование для выращивания кристаллов Чохральского, которое может осуществлять выращивание кристаллов Чохральского при высоком давлении, вакууме и защитных атмосферных условиях.
• Благодаря использованию системы автоматического взвешивания автоматический процесс выращивания кристалла Чохральского реализуется исходя из предпосылки обеспечения качества кристалла
• Высокоточные датчики и управляющее программное обеспечение
• Автоматический контроль формы кристалла
• Максимальная температура: 2400 ℃
• Размер кристалла: 2-8 дюймов

Область применения

Применяется для выращивания монокристаллов оксида галлия (ga₂o₃), монокристаллов SiC и лазерного выращивания монокристаллов